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ON Semiconductor - FDT459N

KEY Part #: K6397403

FDT459N 価格設定（USD） [240600個在庫]

  • 1 pcs$0.15450
  • 4,000 pcs$0.15373
品番:
FDT459N
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT-223.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDT459N electronic components. FDT459N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDT459N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDT459N 製品の属性

品番 : FDT459N
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT-223
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 6.5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 35 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 365pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 3W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-223-4
パッケージ/ケース : TO-261-4, TO-261AA

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