IXTH52N65X 価格設定（USD） [13184個在庫]
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- 品番:
- IXTH52N65X
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 650V 52A TO-247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTH52N65X electronic components. IXTH52N65X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH52N65X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTH52N65X 製品の属性
品番 :
IXTH52N65X
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 650V 52A TO-247
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
52A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
68 mOhm @ 26A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
113nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4350pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
660W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247 (IXTH)
パッケージ/ケース :
TO-247-3
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