Infineon Technologies - BSC150N03LDGATMA1

KEY Part #: K6524970

BSC150N03LDGATMA1 価格設定(USD) [225640個在庫]

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品番:
BSC150N03LDGATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC150N03LDGATMA1 製品の属性

品番 : BSC150N03LDGATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 8A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 15 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 13.2nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1100pF @ 15V
パワー-最大 : 26W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TDSON-8 Dual

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