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- 品番:
- STD3NM60-1
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 3A IPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-アレイ, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STD3NM60-1 electronic components. STD3NM60-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD3NM60-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STD3NM60-1 製品の属性
品番 :
STD3NM60-1
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 600V 3A IPAK
シリーズ :
MDmesh™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
324pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
42W (Tc)
動作温度 :
-65°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
I-PAK
パッケージ/ケース :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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