GeneSiC Semiconductor - 1N8026-GA

KEY Part #: K6424976

1N8026-GA 価格設定(USD) [448個在庫]

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品番:
1N8026-GA
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N8026-GA 製品の属性

品番 : 1N8026-GA
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1200V
電流-平均整流(Io) : 8A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.6V @ 2.5A
速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間(trr) : 0ns
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F : 237pF @ 1V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-257-3
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-257
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 250°C
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