メーカー :
GeneSiC Semiconductor
説明 :
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
ダイオードタイプ :
Silicon Carbide Schottky
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If :
1.6V @ 2.5A
速度 :
No Recovery Time > 500mA (Io)
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F :
237pF @ 1V, 1MHz
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 250°C