GeneSiC Semiconductor - 1N8026-GA

KEY Part #: K6424976

1N8026-GA 価格設定(USD) [448個在庫]

  • 1 pcs$97.57053
  • 10 pcs$92.86155
  • 25 pcs$89.49719

品番:
1N8026-GA
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N8026-GA electronic components. 1N8026-GA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N8026-GA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N8026-GA 製品の属性

品番 : 1N8026-GA
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1200V
電流-平均整流(Io) : 8A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.6V @ 2.5A
速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間(trr) : 0ns
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F : 237pF @ 1V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-257-3
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-257
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 250°C
あなたも興味があるかもしれません