IRG4PH50S-EPBF 価格設定（USD） [9438個在庫]
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- 品番:
- IRG4PH50S-EPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT 1200V 57A 200W TO247AD.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRG4PH50S-EPBF electronic components. IRG4PH50S-EPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRG4PH50S-EPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRG4PH50S-EPBF 製品の属性
品番 :
IRG4PH50S-EPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT 1200V 57A 200W TO247AD
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
IGBTタイプ :
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
57A
電流-パルスコレクター（Icm） :
114A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
1.7V @ 15V, 33A
パワー-最大 :
200W
スイッチングエネルギー :
1.8mJ (on), 19.6mJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
167nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
32ns/845ns
試験条件 :
960V, 33A, 5 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
-
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247AD
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