[9435個在庫]
- 品番:
- GT10J312(Q)
- 詳細な説明:
- IGBT 600V 10A 60W TO220SM.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-トライアック and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage GT10J312(Q) electronic components. GT10J312(Q) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GT10J312(Q), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GT10J312(Q) 製品の属性
品番 :
GT10J312(Q)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
IGBTタイプ :
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
600V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
10A
電流-パルスコレクター（Icm） :
20A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.7V @ 15V, 10A
パワー-最大 :
60W
スイッチングエネルギー :
-
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
-
Td（オン/オフ）@ 25°C :
400ns/400ns
試験条件 :
300V, 10A, 100 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
200ns
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220SM
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