APT50GP60B2DQ2G 価格設定（USD） [6527個在庫]
- 1 pcs$7.50953
- 10 pcs$6.82512
- 25 pcs$6.31312
- 100 pcs$5.80124
- 250 pcs$5.28935
- 品番:
- APT50GP60B2DQ2G
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- IGBT 600V 150A 625W TMAX.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-アレイ, パワードライバーモジュール and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation APT50GP60B2DQ2G electronic components. APT50GP60B2DQ2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT50GP60B2DQ2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APT50GP60B2DQ2G 製品の属性
品番 :
APT50GP60B2DQ2G
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
IGBT 600V 150A 625W TMAX
シリーズ :
POWER MOS 7®
部品ステータス :
Not For New Designs
IGBTタイプ :
PT
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
600V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
150A
電流-パルスコレクター（Icm） :
190A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.7V @ 15V, 50A
パワー-最大 :
625W
スイッチングエネルギー :
465µJ (on), 635µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
165nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
19ns/85ns
試験条件 :
400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
-
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-247-3 Variant
サプライヤーデバイスパッケージ :
-
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- SGP04N60XKSA1
- IXSH24N60A
- STGW20NB60KD
- IXGQ240N30PB
- ISL9V5036S3ST_SB82026C
- IRG8P75N65UD1PBF
- NGTB15N120IHTG
- IRGP6660D-EPBF
- TIG074E8-TL-H
- IRG4BC30S-STRLP
- IRGS4045DTRRPBF
- RJH1CF6RDPQ-80#T2
- IXSR50N60B
- IXGH20N60BU1
- IRG6I330U-111P
- FGA50N100BNTTU
- IRGB4060DPBF
- FGA25N120FTD
- IRGI4061DPBF
- IRG4BC20K-STRRP
- IXSX80N60B
- IXSH50N60B
- IXGT60N60
- IXGR50N60BD1
- HGT1S20N35G3VLS
- SGR15N40LTF
- SGR15N40LTM
- ISL9V2040P3
- FGH20N6S2
- IRGIB7B60KDPBF
- IXGH60N60
- MGP15N40CL
- IRG4BC30K
- IRG4BC30W
- IXXH40N65B4H1
- FGH75T65SQDT-F155
- FGA3060ADF
- HGTP5N120BND
- HGTD7N60C3S9A
- STGD3NC120H-1