ON Semiconductor - SGP13N60UFDTU

KEY Part #: K6424913

SGP13N60UFDTU 価格設定(USD) [81380個在庫]

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品番:
SGP13N60UFDTU
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
IGBT 600V 13A 60W TO220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SGP13N60UFDTU 製品の属性

品番 : SGP13N60UFDTU
メーカー : ON Semiconductor
説明 : IGBT 600V 13A 60W TO220
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
IGBTタイプ : -
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 600V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 13A
電流-パルスコレクター(Icm) : 52A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.6V @ 15V, 6.5A
パワー-最大 : 60W
スイッチングエネルギー : 85µJ (on), 95µJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 25nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 20ns/70ns
試験条件 : 300V, 6.5A, 50 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : 55ns
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-3