Microsemi Corporation - JAN1N5617

KEY Part #: K6442029

JAN1N5617 価格設定(USD) [11852個在庫]

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品番:
JAN1N5617
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL. Zener Diodes D MET 1A FAST 400V
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5617 electronic components. JAN1N5617 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5617, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5617 製品の属性

品番 : JAN1N5617
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/429
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 400V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.6V @ 3A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 150ns
電流-Vrでの逆漏れ : 500nA @ 400V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : A, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : -
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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