Infineon Technologies - IDB15E60ATMA1

KEY Part #: K6440261

IDB15E60ATMA1 価格設定(USD) [89441個在庫]

  • 1 pcs$0.43717
  • 1,000 pcs$0.30024

品番:
IDB15E60ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-シングル, パワードライバーモジュール and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IDB15E60ATMA1 electronic components. IDB15E60ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDB15E60ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDB15E60ATMA1 製品の属性

品番 : IDB15E60ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 29.2A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 2V @ 15A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 87ns
電流-Vrでの逆漏れ : 50µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO263-3
動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 175°C

あなたも興味があるかもしれません
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • ES2AHM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

  • MBR20100

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V TO220AC.

  • SDUR3060W

    SMC Diode Solutions

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC.

  • IDD06E60BUMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 14.7A TO252.