現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. ディスクリート半導体製品
  4. トランジスタ-FET、MOSFET-シングル
  5. APT28F60B

Microsemi Corporation - APT28F60B

KEY Part #: K6413329

[13137個在庫]

    品番:
    APT28F60B
    メーカー:
    Microsemi Corporation
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 600V 28A TO-247.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-RF and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Microsemi Corporation APT28F60B electronic components. APT28F60B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT28F60B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APT28F60B 製品の属性

    品番 : APT28F60B
    メーカー : Microsemi Corporation
    説明 : MOSFET N-CH 600V 28A TO-247
    シリーズ : -
    部品ステータス : Active
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 30A (Tc)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 250 mOhm @ 14A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 1mA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 140nC @ 10V
    Vgs（最大） : ±30V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 5575pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 520W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247 [B]
    パッケージ/ケース : TO-247-3

    最新ニュース

    Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
    あなたも興味があるかもしれません
    • IRF5802TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

    • 2N7000RLRMG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

    • BTS282Z E3180A

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.

    • 2SK3127(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM.

    • FQD4P25TF

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK.

    • FQD4N25TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 250V 3A DPAK.

    ホットパーツ