IPB80N06S2H5ATMA2 価格設定（USD） [66102個在庫]
- 1 pcs$0.59152
- 1,000 pcs$0.56331
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
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IPB80N06S2H5ATMA2 製品の属性
品番 :
IPB80N06S2H5ATMA2
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
80A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
5.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 230µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
155nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4400pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
300W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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