ES2GHE3_A/I 価格設定（USD） [445255個在庫]
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- 品番:
- ES2GHE3_A/I
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,400V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET, ダイオード-RF and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES2GHE3_A/I electronic components. ES2GHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES2GHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ES2GHE3_A/I 製品の属性
品番 :
ES2GHE3_A/I
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
400V
電流-平均整流（Io） :
2A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.1V @ 2A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
35ns
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 50V
静電容量@ Vr、F :
15pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214AA, SMB
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-214AA (SMB)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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- 1F1-TP
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- FES8AT-E3/45
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- RFN5BM2SFHTL
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