Vishay Semiconductor Diodes Division - GPP60D-E3/54

KEY Part #: K6447327

GPP60D-E3/54 価格設定(USD) [1462個在庫]

  • 1,600 pcs$0.18824

品番:
GPP60D-E3/54
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 200V 6A P600.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GPP60D-E3/54 electronic components. GPP60D-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GPP60D-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GPP60D-E3/54 製品の属性

品番 : GPP60D-E3/54
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 200V 6A P600
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
電流-平均整流(Io) : 6A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 6A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 5.5µs
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 200V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : P600, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : P600
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

あなたも興味があるかもしれません
  • RB420D-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SOT23.

  • RB421D-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SOT23.

  • 65PQ015

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 15V 65A TO247AC.

  • GPP60GHE3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 6A P600.

  • GPP60G-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 6A P600.

  • GPP60DHE3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 6A P600.