NVATS4A101PZT4G 価格設定（USD） [258188個在庫]
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- 品番:
- NVATS4A101PZT4G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CHANNEL 30V 27A ATPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NVATS4A101PZT4G electronic components. NVATS4A101PZT4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVATS4A101PZT4G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NVATS4A101PZT4G 製品の属性
品番 :
NVATS4A101PZT4G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET P-CHANNEL 30V 27A ATPAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
27A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
30 mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.6V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
18.5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
875pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
36W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
ATPAK
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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