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- 品番:
- IRFU9N20D
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFU9N20D electronic components. IRFU9N20D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFU9N20D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFU9N20D 製品の属性
品番 :
IRFU9N20D
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9.4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
380 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
27nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
560pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
86W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
IPAK (TO-251)
パッケージ/ケース :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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