Central Semiconductor Corp - CMLDM8120G TR

KEY Part #: K6395489

CMLDM8120G TR 価格設定(USD) [364178個在庫]

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品番:
CMLDM8120G TR
メーカー:
Central Semiconductor Corp
詳細な説明:
MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CMLDM8120G TR 製品の属性

品番 : CMLDM8120G TR
メーカー : Central Semiconductor Corp
説明 : MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 860mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 150 mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 3.56nC @ 4.5V
Vgs(最大) : 8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 200pF @ 16V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 350mW (Ta)
動作温度 : -65°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-563
パッケージ/ケース : SOT-563, SOT-666