IPG20N06S4L26ATMA1 価格設定（USD） [231025個在庫]
- 1 pcs$0.16010
- 5,000 pcs$0.14685
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, パワードライバーモジュール, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPG20N06S4L26ATMA1 electronic components. IPG20N06S4L26ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPG20N06S4L26ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPG20N06S4L26ATMA1 製品の属性
品番 :
IPG20N06S4L26ATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
20A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
26 mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 10µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1430pF @ 25V
パワー-最大 :
33W
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TDSON-8-4
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