STMicroelectronics - STTH802G

KEY Part #: K6442054

STTH802G 価格設定(USD) [83500個在庫]

  • 1 pcs$0.68568
  • 10 pcs$0.61252
  • 100 pcs$0.47760
  • 500 pcs$0.39454

品番:
STTH802G
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in STMicroelectronics STTH802G electronic components. STTH802G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STTH802G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STTH802G 製品の属性

品番 : STTH802G
メーカー : STMicroelectronics
説明 : DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
電流-平均整流(Io) : 8A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.05V @ 8A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 30ns
電流-Vrでの逆漏れ : 6µA @ 200V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK
動作温度-ジャンクション : 175°C (Max)

あなたも興味があるかもしれません