Diodes Incorporated - DMN3020UFDF-13

KEY Part #: K6395996

DMN3020UFDF-13 価格設定(USD) [586708個在庫]

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品番:
DMN3020UFDF-13
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3020UFDF-13 製品の属性

品番 : DMN3020UFDF-13
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 15A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 19 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 27nC @ 8V
Vgs(最大) : ±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1304pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.03W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : U-DFN2020-6 (Type F)
パッケージ/ケース : 6-UDFN Exposed Pad

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