Microsemi Corporation - JAN1N5417

KEY Part #: K6440350

JAN1N5417 価格設定（USD） [6604個在庫]

1 pcs$5.15178
10 pcs$4.63572
25 pcs$4.22349
100 pcs$3.81153
250 pcs$3.50247
500 pcs$3.19343

品番:: JAN1N5417

メーカー:: Microsemi Corporation

詳細な説明:: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A FAST 200V

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5417 electronic components. JAN1N5417 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5417, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

JAN1N5417 製品の属性

品番 : JAN1N5417

メーカー : Microsemi Corporation

説明 : DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/411

部品ステータス : Active

ダイオードタイプ : Standard

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 200V

電流-平均整流（Io） : 3A

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.5V @ 9A

速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : 150ns

電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 200V

静電容量@ Vr、F : -

取付タイプ : Through Hole

パッケージ/ケース : B, Axial

サプライヤーデバイスパッケージ : -

動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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