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- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT 1700V 110A 625W MODULE.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
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- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSM75GB170DN2HOSA1 electronic components. BSM75GB170DN2HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM75GB170DN2HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSM75GB170DN2HOSA1 製品の属性
品番 :
BSM75GB170DN2HOSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT 1700V 110A 625W MODULE
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
IGBTタイプ :
-
構成 :
Half Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1700V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
110A
パワー-最大 :
625W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
3.9V @ 15V, 75A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
-
入力容量（Cies）@ Vce :
11nF @ 25V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
No
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
Module
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