NVMFD5C478NLT1G 価格設定（USD） [259205個在庫]
- 1 pcs$0.14270
- 品番:
- NVMFD5C478NLT1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NVMFD5C478NLT1G electronic components. NVMFD5C478NLT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFD5C478NLT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NVMFD5C478NLT1G 製品の属性
品番 :
NVMFD5C478NLT1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
10.5A (Ta), 29A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
14.5 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 20µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
8.1nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
420pF @ 25V
パワー-最大 :
3.1W (Ta), 23W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
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