Vishay Semiconductor Diodes Division - MSS1P3L-E3/89A

KEY Part #: K6447069

[1550個在庫]


    品番:
    MSS1P3L-E3/89A
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE SCHOTTKY 30V 1A MICROSMP.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division MSS1P3L-E3/89A electronic components. MSS1P3L-E3/89A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MSS1P3L-E3/89A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MSS1P3L-E3/89A 製品の属性

    品番 : MSS1P3L-E3/89A
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE SCHOTTKY 30V 1A MICROSMP
    シリーズ : eSMP®
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Schottky
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 30V
    電流-平均整流(Io) : 1A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 500mV @ 1A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : -
    電流-Vrでの逆漏れ : 250µA @ 30V
    静電容量@ Vr、F : -
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : MicroSMP
    サプライヤーデバイスパッケージ : MicroSMP
    動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

    あなたも興味があるかもしれません
    • RHRD660S9A_NL

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK.

    • DGS13-025CS

      IXYS

      DIODE SCHOTTKY 250V 21A TO252AA.

    • MMBD1501A_D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23.

    • MMBD1201_D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.

    • CSD10060G

      Cree/Wolfspeed

      DIODE SCHOTTKY 600V 16.5A TO263.

    • VS-8EWX06FN-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers 8A 600V 15ns Hyperfast