DMN3035LWN-13 価格設定（USD） [523606個在庫]
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- 10,000 pcs$0.06226
- 品番:
- DMN3035LWN-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN3035LWN-13 electronic components. DMN3035LWN-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3035LWN-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN3035LWN-13 製品の属性
品番 :
DMN3035LWN-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
-
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5.5A (Ta)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
35 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
4.5nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
399pF @ 15V
パワー-最大 :
-
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
V-DFN3020-8
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