DF200R12W1H3B27BOMA1 価格設定（USD） [1809個在庫]
- 1 pcs$23.94315
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT MODULE VCES 1200V 200A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-RF and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies DF200R12W1H3B27BOMA1 electronic components. DF200R12W1H3B27BOMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DF200R12W1H3B27BOMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DF200R12W1H3B27BOMA1 製品の属性
品番 :
DF200R12W1H3B27BOMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
-
構成 :
2 Independent
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
30A
パワー-最大 :
375W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
1.3V @ 15V, 30A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
1mA
入力容量（Cies）@ Vce :
2nF @ 25V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
Yes
動作温度 :
-40°C ~ 150°C
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
Module
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