Infineon Technologies - IRG7T300CH12B

KEY Part #: K6533526

[805個在庫]


    品番:
    IRG7T300CH12B
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOD IGBT 1200V 300A POWIR 62.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies IRG7T300CH12B electronic components. IRG7T300CH12B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRG7T300CH12B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRG7T300CH12B 製品の属性

    品番 : IRG7T300CH12B
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOD IGBT 1200V 300A POWIR 62
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    IGBTタイプ : -
    構成 : Single
    電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
    電流-コレクター(Ic)(最大) : 570A
    パワー-最大 : 1600W
    Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.2V @ 15V, 300A
    電流-コレクターのカットオフ(最大) : 4mA
    入力容量(Cies)@ Vce : 42.4nF @ 25V
    入力 : Standard
    NTCサーミスタ : No
    動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Chassis Mount
    パッケージ/ケース : POWIR® 62 Module
    サプライヤーデバイスパッケージ : POWIR® 62

    あなたも興味があるかもしれません
    • VS-GT175DA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

    • VS-GP250SA60S

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 380A 893W SOT-227.

    • VS-GT105NA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227.

    • VS-GT105LA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227.

    • VS-GT100NA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

    • VS-GT100LA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.