説明 :
MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE
FETタイプ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 :
Silicon Carbide (SiC)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
1200V (1.2kV)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
444A (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
4.3 mOhm @ 400A, 20V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4V @ 105mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
1127nC @ 20V