DMN1250UFEL-7 価格設定（USD） [217086個在庫]
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- 3,000 pcs$0.15140
- 品番:
- DMN1250UFEL-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET BVDSS 8V 24V U-QFN1515-1.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN1250UFEL-7 electronic components. DMN1250UFEL-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN1250UFEL-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN1250UFEL-7 製品の属性
品番 :
DMN1250UFEL-7
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET BVDSS 8V 24V U-QFN1515-1
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
8 N-Channel, Common Gate, Common Source
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
12V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
450 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
1.9nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
190pF @ 6V
パワー-最大 :
660mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
12-UFQFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
U-QFN1515-12
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