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- 品番:
- IPD80R1K4CEBTMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPD80R1K4CEBTMA1 electronic components. IPD80R1K4CEBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD80R1K4CEBTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPD80R1K4CEBTMA1 製品の属性
品番 :
IPD80R1K4CEBTMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
シリーズ :
CoolMOS™
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.9A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.9V @ 240µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
570pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
63W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252-3
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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