IXTN17N120L 価格設定（USD） [2408個在庫]
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- 品番:
- IXTN17N120L
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-特別な目的 and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTN17N120L electronic components. IXTN17N120L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTN17N120L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTN17N120L 製品の属性
品番 :
IXTN17N120L
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
15A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
20V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
900 mOhm @ 8.5A, 20V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
155nC @ 15V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
8300pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
540W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-227B
パッケージ/ケース :
SOT-227-4, miniBLOC
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