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- 品番:
- IRF7380QTRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7380QTRPBF electronic components. IRF7380QTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7380QTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7380QTRPBF 製品の属性
品番 :
IRF7380QTRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.6A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
73 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
23nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
660pF @ 25V
パワー-最大 :
2W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
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