STP11NM60 価格設定（USD） [48196個在庫]
- 1 pcs$0.81534
- 1,000 pcs$0.81128
- 品番:
- STP11NM60
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 650V 11A TO-220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STP11NM60 electronic components. STP11NM60 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP11NM60, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STP11NM60 製品の属性
品番 :
STP11NM60
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
シリーズ :
MDmesh™
部品ステータス :
Not For New Designs
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
11A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
450 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1000pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
160W (Tc)
動作温度 :
-65°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- PSMN010-55D,118
- SCT50N120
- AOT440L_001
- DMN2400UFDQ-7
- IPA80R460CEXKSA1
- GP1M006A065FH
- PMFPB8040XP,115
- APT28F60S
- IRLR3715TRRPBF
- AON7246
- STS3P6F6
- AUIRFP2907Z
- 2N7002L6327HTSA1
- TPCP8001-H(TE85LFM
- IRF3707ZCSTRLP
- APT8024LLLG
- SPA03N60C3XKSA1
- SPP80N08S2L-07
- IPI60R385CPXKSA1
- ZXMN6A25K
- ZXMN6A25G
- MIC94050BM4 TR
- NDPL100N10BG
- IPU60R2K1CEBKMA1
- IRL530S
- IRL2910L
- SI4420DY
- IRLU3303
- IRFZ34NS
- 2SK3047
- STD10PF06T4
- IPD60R1K4C6
- IPW65R125C7XKSA1
- SIHP15N60E-E3
- STF12NM65
- AUIRF1324STRL
- AUIRF1405ZS-7TRL
- SI4190ADY-T1-GE3
- BUK7M21-40EX
- RQ6E035ATTCR