IXYS - IXTH1N100

KEY Part #: K6417037

IXTH1N100 価格設定(USD) [23749個在庫]

  • 1 pcs$2.00547
  • 30 pcs$1.99549

品番:
IXTH1N100
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-シングル and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXTH1N100 electronic components. IXTH1N100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH1N100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH1N100 製品の属性

品番 : IXTH1N100
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1000V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.5A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 11 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 25µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 480pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 60W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247 (IXTH)
パッケージ/ケース : TO-247-3

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.