BTS282ZE3230AKSA2 価格設定（USD） [15716個在庫]
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- 1,000 pcs$1.00084
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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BTS282ZE3230AKSA2 製品の属性
品番 :
BTS282ZE3230AKSA2
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
シリーズ :
TEMPFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
49V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
80A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6.5 mOhm @ 36A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 240µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
232nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4800pF @ 25V
FET機能 :
Temperature Sensing Diode
消費電力（最大） :
300W (Tc)
動作温度 :
-40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO220-7-12
パッケージ/ケース :
TO-220-7
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