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ON Semiconductor - NVMFS5C406NWFT1G

KEY Part #: K6418385

NVMFS5C406NWFT1G 価格設定（USD） [61299個在庫]

  • 1 pcs$0.63786
品番:
NVMFS5C406NWFT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
T6 40V SG NCH SO8FL HEFET.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NVMFS5C406NWFT1G electronic components. NVMFS5C406NWFT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFS5C406NWFT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFS5C406NWFT1G 製品の属性

品番 : NVMFS5C406NWFT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : T6 40V SG NCH SO8FL HEFET
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 52A (Ta), 353A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 0.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 280µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 7288pF @ 20V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 3.9W (Ta), 179W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN, 5 Leads

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