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- 品番:
- FGH30N120FTDTU
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT 1200V 60A 339W TO247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FGH30N120FTDTU electronic components. FGH30N120FTDTU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FGH30N120FTDTU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FGH30N120FTDTU 製品の属性
品番 :
FGH30N120FTDTU
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
IGBT 1200V 60A 339W TO247
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
60A
電流-パルスコレクター（Icm） :
90A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2V @ 15V, 30A
パワー-最大 :
339W
スイッチングエネルギー :
-
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
208nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
-
試験条件 :
-
逆回復時間（trr） :
730ns
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247
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