FDD3510H 価格設定（USD） [180396個在庫]
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- 2,500 pcs$0.19612
- 品番:
- FDD3510H
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器 and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDD3510H electronic components. FDD3510H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD3510H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDD3510H 製品の属性
品番 :
FDD3510H
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
シリーズ :
PowerTrench®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N and P-Channel, Common Drain
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.3A, 2.8A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
80 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
18nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
800pF @ 40V
パワー-最大 :
1.3W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252-4L
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