ON Semiconductor - FDMD8260L

KEY Part #: K6523046

FDMD8260L 価格設定(USD) [58340個在庫]

  • 1 pcs$0.67357
  • 3,000 pcs$0.67022

品番:
FDMD8260L
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 60V 6-MLP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-整流器-シングル and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDMD8260L electronic components. FDMD8260L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMD8260L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMD8260L 製品の属性

品番 : FDMD8260L
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2N-CH 60V 6-MLP
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 15A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 5.8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 68nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5245pF @ 30V
パワー-最大 : 1W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 12-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : 12-Power3.3x5

あなたも興味があるかもしれません
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • DMC25D0UVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.