Microsemi Corporation - JANTXV1N5550

KEY Part #: K6440334

JANTXV1N5550 価格設定(USD) [5117個在庫]

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品番:
JANTXV1N5550
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 200V 5A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A STD 200V HRV
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5550 製品の属性

品番 : JANTXV1N5550
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 200V 5A AXIAL
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/420
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
電流-平均整流(Io) : 5A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.2V @ 9A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 2µs
電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 200V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : B, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : -
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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