説明 :
ZFET 900V 30 MOHM G3 SIC MOSFE
技術 :
SiCFET (Silicon Carbide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
63A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
15V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
39 mOhm @ 35A, 15V
Vgs(th)(最大)@ Id :
3.5V @ 11mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
87nC @ 15V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
1864pF @ 600V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247-4L