ON Semiconductor - FDP2D3N10C

KEY Part #: K6394143

FDP2D3N10C 価格設定(USD) [25659個在庫]

  • 1 pcs$1.60614

品番:
FDP2D3N10C
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDP2D3N10C 製品の属性

品番 : FDP2D3N10C
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 222A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 700µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 152nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 11180pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 214W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-3
パッケージ/ケース : TO-220-3

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