TPS1120DG4 価格設定（USD） [60727個在庫]
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- 375 pcs$0.72482
- 品番:
- TPS1120DG4
- メーカー:
- Texas Instruments
- 詳細な説明:
- MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-トライアック and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Texas Instruments TPS1120DG4 electronic components. TPS1120DG4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPS1120DG4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPS1120DG4 製品の属性
品番 :
TPS1120DG4
メーカー :
Texas Instruments
説明 :
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 P-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
15V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.17A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
180 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
5.45nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
パワー-最大 :
840mW
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOIC
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