STD13N60DM2 価格設定（USD） [102258個在庫]
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- 品番:
- STD13N60DM2
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- N-CHANNEL 600 V 0.310 OHM TYP..
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器 and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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- We specialize in STMicroelectronics STD13N60DM2 electronic components. STD13N60DM2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD13N60DM2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STD13N60DM2 製品の属性
品番 :
STD13N60DM2
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
N-CHANNEL 600 V 0.310 OHM TYP.
シリーズ :
MDmesh™ DM2
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
11A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
365 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
19nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
730pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
110W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DPAK
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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