[9620個在庫]
- 品番:
- IRG8CH106K10F
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT 1200V 110A DIE.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRG8CH106K10F electronic components. IRG8CH106K10F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRG8CH106K10F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRG8CH106K10F 製品の属性
品番 :
IRG8CH106K10F
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT 1200V 110A DIE
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
IGBTタイプ :
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
-
電流-パルスコレクター（Icm） :
-
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2V @ 15V, 110A
パワー-最大 :
-
スイッチングエネルギー :
-
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
700nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
80ns/380ns
試験条件 :
600V, 110A, 1 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
-
動作温度 :
-40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
Die
サプライヤーデバイスパッケージ :
Die
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