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- 品番:
- IRG8B08N120KDPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- DIODE 1200V 8A TO-220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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IRG8B08N120KDPBF 製品の属性
品番 :
IRG8B08N120KDPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
DIODE 1200V 8A TO-220
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
IGBTタイプ :
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
15A
電流-パルスコレクター（Icm） :
15A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2V @ 15V, 5A
パワー-最大 :
89W
スイッチングエネルギー :
300µJ (on), 300µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
45nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
20ns/160ns
試験条件 :
600V, 5A, 47 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
50ns
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
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