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- 品番:
- IRG8B08N120KDPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- DIODE 1200V 8A TO-220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRG8B08N120KDPBF electronic components. IRG8B08N120KDPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRG8B08N120KDPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRG8B08N120KDPBF 製品の属性
品番 :
IRG8B08N120KDPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
DIODE 1200V 8A TO-220
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
IGBTタイプ :
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
15A
電流-パルスコレクター（Icm） :
15A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2V @ 15V, 5A
パワー-最大 :
89W
スイッチングエネルギー :
300µJ (on), 300µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
45nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
20ns/160ns
試験条件 :
600V, 5A, 47 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
50ns
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
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