IRG4BC30KDSTRRP 価格設定（USD） [38605個在庫]
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- 品番:
- IRG4BC30KDSTRRP
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT 600V 28A 100W D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRG4BC30KDSTRRP electronic components. IRG4BC30KDSTRRP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRG4BC30KDSTRRP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRG4BC30KDSTRRP 製品の属性
品番 :
IRG4BC30KDSTRRP
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT 600V 28A 100W D2PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Not For New Designs
IGBTタイプ :
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
600V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
28A
電流-パルスコレクター（Icm） :
56A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.7V @ 15V, 16A
パワー-最大 :
100W
スイッチングエネルギー :
600µJ (on), 580µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
67nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
60ns/160ns
試験条件 :
480V, 16A, 23 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
42ns
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
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