ON Semiconductor - 1N914BTR

KEY Part #: K6456969

1N914BTR 価格設定(USD) [7603368個在庫]

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品番:
1N914BTR
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-JFET, トランジスタ-特別な目的 and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N914BTR 製品の属性

品番 : 1N914BTR
メーカー : ON Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
電流-平均整流(Io) : 200mA
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 100mA
速度 : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間(trr) : 4ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 75V
静電容量@ Vr、F : 4pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : DO-204AH, DO-35, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-35
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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