Microsemi Corporation - APTCV50H60T3G

KEY Part #: K6533151

APTCV50H60T3G 価格設定(USD) [1865個在庫]

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  • 100 pcs$22.61126

品番:
APTCV50H60T3G
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-シングル, パワードライバーモジュール and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTCV50H60T3G 製品の属性

品番 : APTCV50H60T3G
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : NPT, Trench Field Stop
構成 : Full Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 600V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 80A
パワー-最大 : 176W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 1.9V @ 15V, 50A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 250µA
入力容量(Cies)@ Vce : 3.15nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : SP3
サプライヤーデバイスパッケージ : SP3